小兒腦癱是常見的兒童疾病，小兒腦癱的癥狀主要表現(xiàn)為中樞性運動功能障礙和姿勢異常，常合并智能缺陷、行為異常、精神障礙及視、聽覺、語言障礙，可伴有癲癇發(fā)作。關(guān)于腦癱原因，產(chǎn)時應(yīng)從分娩開始到誕生后7天，在此階段，嬰兒機體已和外環(huán)境取得平衡，絕大多數(shù)腦癱發(fā)生于產(chǎn)中。下面分析不同時期造成小兒腦癱的原因。

　　出生前(胎兒期因素)

　　1、遺傳因素

　　當染色體出現(xiàn)數(shù)目畸變或結(jié)構(gòu)畸變、基因突變或先天性代謝缺陷時就可產(chǎn)生先天性畸形，表現(xiàn)出個體的發(fā)育異常。近年來的研究認為，遺傳因素在腦性癱瘓中影響越來越大。某些患兒可追溯出家族遺傳病史，在同輩或上輩的母系及父系家族中有腦癱、智力障礙或先天畸形等。

　　2、妊娠期因素

　　(1)母體遭受感染：孕期母體遭受風疹病毒、巨細胞病毒、單純皰疹病毒和弓形體等感染，由于內(nèi)分泌改變和免疫力下降而易被激活，通過胎盤引起宮內(nèi)感染危及胎兒，可造成流產(chǎn)、早產(chǎn)、死胎、發(fā)生出生缺陷，導(dǎo)致腦癱或成殘疾兒。做好優(yōu)生八項(TORCH)尤其重要。

　　(2)妊娠時的環(huán)境因素：胚胎在母體宮內(nèi)發(fā)育時，極易受外界環(huán)境因素如物理、化學或生物因子的影響，尤其對8周以內(nèi)的胚胎更為敏感，引起胚胎的分化發(fā)育障礙，產(chǎn)生先天性畸形。

　　a、物理因素 最常見的物理性致畸因子有放射線、機械因素、高溫、嚴寒、微波、缺氧等。

　　小兒腦癱原因

　?、?放射線 X線和放射性同位素的α、β、γ射線對人胚神經(jīng)系統(tǒng)發(fā)育有致畸作用。家電、手機、計算機的廣泛應(yīng)用，對人類的傷害越來越大，特別是胚胎發(fā)育期。

　?、?高溫 高溫對早期胚胎神經(jīng)系統(tǒng)發(fā)育有致畸作用。當受精后20～28天內(nèi)，孕婦如發(fā)燒至39℃以上時，胎兒容易出現(xiàn)后頭部腦疝畸形，而在妊娠4～14周時孕婦接觸高溫后，胎兒出生后可出現(xiàn)精神呆滯，肌張力低下等中樞神經(jīng)系統(tǒng)損害。

　　b、化學因素 許多藥物和環(huán)境污染物對胎兒發(fā)育有致畸作用。這和藥物的性質(zhì)、毒性、劑量、給藥方式、作用時間等有關(guān)，也和胚胎月齡有關(guān)。致畸藥物的種類繁多，常見的有：抗腫瘤藥、抗凝血藥、有機汞、酒精等。家庭裝修中的甲醛、苯類對人類危害越來越普遍。氨基糖苷類抗生素應(yīng)用產(chǎn)生的毒性損害很常見。

　　(3)母體患慢性疾?。喝焉锲诘牡脱跹Y、營養(yǎng)障礙，是直接或間接導(dǎo)致腦性癱瘓的原因。如妊娠高血壓綜合征、心力衰竭、大出血、休克、重度貧血、胎盤異常、糖尿病、肺結(jié)核、慢性肝炎、慢性腎炎等。